网站首页 > 产品> FDC6401N

FDC6401N| MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6

FDC6401N

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 324pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
  • vishay电感

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • xilinx 芯片

      OpenHW 设计大赛和学术峰会上宣布,此次大会将着重展示赛灵思 All Programmable 技术面向新加坡智慧城市和智慧校园计划的优势。这个由赛灵思...

  • 钽电容 vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于空间受限的消费电子产品的新系列模塑MICROTAN®片式钽电容器...

  • vishay tvs管

      宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月2 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列表面贴...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9