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DMG6602SVT-7| MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

DMG6602SVT-7

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

品牌 :   Diodes Incorporated

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A, 2.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 400pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 840mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
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电子元件制造商

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