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RN1110MFV,L3F| TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

RN1110MFV,L3F

描述 :   TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition -
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
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