网站首页 > 产品> RN1603(TE85L,F)

RN1603(TE85L,F)| TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

RN1603(TE85L,F)

描述 :   TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-74, SOT-457
Power - Max 300mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Supplier Device Package SM6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • atmel

      米尔科技推出全球首款基于Atmel SAMA5D2x芯片的核心板(MYC-JA5D2X核心板)及其开发板(MYD-JA5D2X开发板)。该平台性处理性能优...

  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

  • xilinx官方开发板

      开发板资源介绍  Xilinx Spartan 3E-FPGA,10万或25万门  FPGA特性18位乘法器,72位高速双端口Block RAM,以及500MHz+运算能...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9