网站首页 > 产品> RN4910FE(TE85L,F)

RN4910FE(TE85L,F)| TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

RN4910FE(TE85L,F)

描述 :   TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • vishay精密电阻

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的超精密薄膜片式电阻---PLTU,其TCR和公差均比前一代器件有大幅度的改善。Vishay D...

  • vishay光耦

      Vishay公司推出了性能优越的光耦器件CNY65Exi,这款光耦器件符合欧盟针刘在易爆炸气体中工作而制定的ATEX94/9/EC规范,具有业内最高水...

  • maxim电源

      Maxim推出MAX77756 24V、500mA、低静态电流(Iq) buck转换器,为多单元、USB type-c产品的开发者提供灵活的选项,满足其更高电流、双路输...

  • atmel arm7开发板

      电子产业的蓬勃发展带来了史无前例的生活、生产大跃进,但是,人们在享受发展喜悦的同时又不得不面临现实现状的囧境——在以移动电子设备产业为核...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9