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EMF8T2R| TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

EMF8T2R

描述 :   TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition 250MHz, 320MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 12V
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