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RN1962FE(TE85L,F)| TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1962FE(TE85L,F)
描述 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
品牌 : Toshiba Semiconductor and Storage
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
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