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RN1961(TE85L,F)| TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

RN1961(TE85L,F)

描述 :   TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 200mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Supplier Device Package US6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
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