网站首页 > 产品> IRD3CH5DB6

IRD3CH5DB6| DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE

IRD3CH5DB6

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) 96ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Die
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 5A
  • 威世vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面向设...

  • xilinx品牌

      中国国际半导体设备及材料展)20周年庆典上,全球领先的可编程逻辑解决方案供应商赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )被国内最权...

  • vishay收购ir

      Vishay公司作出一项非约束性收购计划,即耗资16亿美元来收购IR公司(InternationalRectifier)的股票。如果该项交易通过的话,收购将强化Vish...

  • vishay bc

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9