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IRD3CH5DB6| DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 1200V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Die |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.7V @ 5A |
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品牌 : STMicroelectronics
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型号 : TMS320F2812PGFAG4
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