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IDB12E120ATMA1| DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 28A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15V @ 12A |
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电子元件制造商
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品牌 : STMicroelectronics
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