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IDB10S60C| DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 140µA @ 600V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
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