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SIDC24D30SIC3| DIODE SILICON 300V 10A WAFER

SIDC24D30SIC3

描述 :   DIODE SILICON 300V 10A WAFER

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 10A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200µA @ 300V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 300V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A
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