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SIDC23D60E6| DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

SIDC23D60E6

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 50A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 27µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 50A
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电子元件制造商

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