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SIDC11D60SIC3| DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 600V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
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电子元件制造商
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型号 : MSP430F149IPMR-KAM
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品牌 : STMicroelectronics
型号 : STM32F103C8T6TR
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品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
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品牌 : Atmel
型号 : ATMEGA328P-AU
