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SIDC06D120E6| DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

SIDC06D120E6

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 5A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 27µA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case Die
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Sawn on foil
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 5A
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