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1N4007GPP TR| DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

1N4007GPP TR

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

品牌 :   Central Semiconductor Corp

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-41
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
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