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JANTX1N6628US| DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.75A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 660V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | SQ-MELF, E |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5B |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 660V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 2A |
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