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GPP100MS-E3/54| DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
GPP100MS-E3/54
描述 : DIODE GEN PURP 1KV 10A P600
品牌 : Vishay Semiconductor Diodes Division
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | P600, Axial |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5.5µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | P600 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
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