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ISL9R8120S3ST| DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

ISL9R8120S3ST

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 30pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 300ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 8A
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