网站首页 > 产品> JAN1N3768R

JAN1N3768R| DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

JAN1N3768R

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 35A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1000V
Diode Type Standard, Reverse Polarity
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-203AB, DO-5, Stud
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-5
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 110A
  • vishay中文名

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

  • xilinx公司

      中国搜索引擎大厂百度已将人工智能、机器学习视为公司未来发展的主要方向,并对相关领域进行大量投资。 为了强化其公有云服务支持人工智能算法的能...

  • atmel 32

      Atmel公司近日宣布,公司基于ARM? Cortex?-M0+的MCU已达到了一个全新的低功耗标准,将活动模式下的功耗降至40 μA/MHz,并将睡眠模式...

  • atmel avr单片机

      挪威,奥斯陆,02/26/2013-节能微控器和无线射频供应商 Energy Micro宣布其正式任命Alf-Egil Bogen为其CMO(首席营销官)。Alf-Egil Bog...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9