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JANTXV1N6642US| DIODE GEN PURP 100V 300MA D5B

JANTXV1N6642US

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 300MA D5B

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 300mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 100V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case SQ-MELF, B
Reverse Recovery Time (trr) 20ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA
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