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1N6631US| DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

1N6631US

描述 :   DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A A-MELF

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 4µA @ 1100V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case SQ-MELF, A
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package A-MELF
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1100V (1.1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
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