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JAN1N647-1| DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

JAN1N647-1

描述 :   DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 50nA @ 400V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-35
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 400mA
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