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1N6074| DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

1N6074

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 850MA AXIAL

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 850mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Package / Case A, Axial
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package *
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A
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电子元件制造商

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