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JAN1N5809| DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

JAN1N5809

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 6A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case B, Axial
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package *
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 4A
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电子元件制造商

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