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1N5806US| DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

1N5806US

描述 :   DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 150V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case SQ-MELF, A
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
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