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1N5618US| DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

1N5618US

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 200°C
Package / Case SQ-MELF, A
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A
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