网站首页 > 产品> UGB12JTHE3/81

UGB12JTHE3/81| DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

UGB12JTHE3/81

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr 30µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75V @ 12A
  • vishay sprague

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过Defense Logistics Agency (DLA)——美国国防后勤局Specification 13008认证的新...

  • avago 编码器

      Avago Technologies日前宣布推出市场上分辨率最高的霍尔效应磁性编码器。新款AEAT-6600-T16编码器具有强大的性能,可为严苛的工业应用运行...

  • vishay dale电阻

      日前,Vishay Intertechnology Inc宣布,推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay Dale Re...

  • 安华高avago

      150亿美元的安华高科技有限公司已经决定更名为博通有限公司——通信半导体公司博通去年以370亿美元的天价被安华收购。Hock E. Tan仍任新博通公...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9