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FESB16ATHE3/45| DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB

FESB16ATHE3/45

描述 :   DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 175pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 16A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 975mV @ 16A
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