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MBR60035CTRL| DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

MBR60035CTRL

描述 :   DIODE SCHOTTKY 35V 300A 2 TOWER

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 35V
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A
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