网站首页 > 产品> MBR600150CT

MBR600150CT| DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

MBR600150CT

描述 :   DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 150V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A
  • vishay bc电容

      日前,Vishay Intertechnology宣布其Vishay BCcomponents 220 EDLC ENYCAP系列电力双层储能电容获得《今日电子》杂志和21IC中国...

  • vishay micro

      近日,Vishay 宣布,新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBSTrench MOS势垒肖特基...

  • vishay光耦

      Vishay公司推出了性能优越的光耦器件CNY65Exi,这款光耦器件符合欧盟针刘在易爆炸气体中工作而制定的ATEX94/9/EC规范,具有业内最高水...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9