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MBR600100CT| DIODE MODULE 100V 600A 2TOWER

MBR600100CT

描述 :   DIODE MODULE 100V 600A 2TOWER

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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属性

Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 600A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 20V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Schottky
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880mV @ 300A
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