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MSRT20060(A)D| DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
在线报价一
属性
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Diode Configuration | 1 Pair Series Connection |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Three Tower |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Three Tower |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
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电子元件制造商
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