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高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模块。
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品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : STMicroelectronics
型号 : STM32F103C8T6TR
