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高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模块。
Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项 1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波 · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...
英特尔公司(Intel Co.)周一完成了该公司迄今为止最大的收购交易。这桩斥资167亿美元收购Altera Corp. 的交易使英特尔成为第二大现场可编程芯片...
Altera公司与Intel公司今天宣布，采用Intel世界领先的封装和装配技术以及Altera前沿的可编程逻辑技术，双方合作开发多管芯器件。在此次合作中...
日前，Vishay宣布，为现有的MCW 0406 AT产品线增添功率处理能力达到1W的新外形尺寸产品---MCW 0612 AT Professional，扩充了MCW ...
品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
