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高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上，容量从0.047μF到10μF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。
MKP386M可承受2500V/μs的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰(EMI)的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。Vishay还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模块。
Vishay Intertechnology Inc.已签署协议，收购工业传感器与控制器件供应商SI Technologies，以加强自己在传感器仪表与系统市场中的地位。预...
可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂阿尔特拉(Altera)和硅智财大厂英商安谋(ARM)今(2)日宣布一项长期合作协议，双方在SoC FPGA同类最佳嵌入...
Altera将主办2015年Altera技术大会(Altera Technology Day, ATD)。此活动是横跨亚太地区八个地点的一系列以技术研讨会，包括台湾、印度、...
针对有线，无线，存储以及工业应用的模拟接口器件供应商Avago安华高科近日推出其针对高速数据中心应用的40G单纤双向多模光纤QSFP+光模块AF...
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : Atmel
型号 : ATMEGA328P-AU
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
