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1A和2A器件的高度为0.65mm，正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，新增10颗采用eSMP®系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，扩充其表面贴装的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间，可替换SOD123W封装的肖特基整流器，反向电压从45V到150V，其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。
目前，2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流，从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能，MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。
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