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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
vishay semiconductor diodes division
日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，新增10颗采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，...
在Avago截至2014年11月2日的2014财年中，该公司主要进行了两次收购，一是2014年5月6日宣布约65亿美元收购高性能存储和网络半导体供应商LSI，二...
赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )近日宣布其旗下首批Artix?-7 FPGA 系列产品正式出货。该新型器件将FPGA 技术的触角...
对于LSI的Axxia网络处理器业务，同年8月，英特尔宣布，将以6.5亿美元现金收购半导体设备供应商安华高科技旗下的网络芯片业务，该交易预计将于...
品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
品牌 : Atmel
型号 : ATMEGA328P-AU
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
