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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
可靠的性能和结构，使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功...
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列径向引线的负温度系数(PTC)检测热敏电阻--- PTCSL0...
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的4路ESD保护阵列---VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺...
半导体从业者应该很多年没有看过最近两年那么火爆的景象。无论是做材料、设备、晶圆代工、芯片设计还是分销，都迎来了好景气，营收屡创新高，这也...
品牌 : Texas Instruments
型号 : DAC7541AJUG4
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
