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日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF扩大了该公司的600V产品，为工业、通信和可再生能源应用提供了迫切需要的电压余量。
推出的这批650V快速体二极管MOSFET采用E系列超级结技术制造，反向恢复电荷(Qrr)比传统MOSFET低10倍。这样器件就能更快地阻断电压，有助于避免共通和热过应力造成的失效，在零电压切换(ZVS)/软开关拓扑中提高可靠性，例如移相桥、LLC转换器和3电平逆变器。
中国国际半导体设备及材料展)20周年庆典上，全球领先的可编程逻辑解决方案供应商赛灵思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) )被国内最权...
Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项 1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波 · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...
ALTERA CPLD器件的配置方式主要分为两大类：主动配置方式和被动方式。主动配置方式由CPLD器件引导配置操作过程，它控制着外部存储器...
Altera日前发布一款采用Stratix II的数字信号处理(DSP)开发套件，其DSP套件开发板采用了Stratix II EP2S180 FPGA，据称拥有的...
品牌 : Texas Instruments
型号 : TMS320F2812PGFAG4
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5254BRUZ50-RL7
品牌 : Texas Instruments
型号 : MSP430F149IPMR-KAM
品牌 : Analog Devices
型号 : AD5235BRUZ250-R7
