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BUK653R5-55C,127| MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

BUK653R5-55C,127

描述 :   MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 191nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 11516pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 263W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
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